久久超碰99,91一区二区三区四区,精品捆绑调教一区二区三区,日韩国产欧美三级

預(yù)存

登錄注冊(cè)

Document

當(dāng)前位置：文庫百科 ? 文章詳情

FIB測(cè)試在材料測(cè)試中存在的重要缺陷以及改善方法

來源：測(cè)試GO 時(shí)間：2022-09-15 17:15:27 瀏覽：7057次

FIB（聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam)是將離子源(常用Ga，也有 He和Ne離子源)產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子槍加速聚焦后作用于樣品表面。通過產(chǎn)生二次電子信號(hào)取得電子像，這與掃描電子顯微鏡（SEM）相似；另外通過強(qiáng)電流離子束轟擊樣品表面，利用物理碰撞對(duì)微、納米級(jí)表面形貌加工。也可以物理濺射的方式搭配化學(xué)氣體反應(yīng)，有選擇性的剝除金屬，氧化硅層或沉積金屬層。刻蝕和切割是聚焦離子束技術(shù)最主要的功能。FIB通過偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)控制離子束的掃描路徑與掃描區(qū)域，從而按照設(shè)定的圖案刻蝕出設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)。在實(shí)際聚焦離子束加工制作微納米結(jié)構(gòu)時(shí)，由于FIB本身的特征及被加工材料的原因，最終加工制作出的結(jié)構(gòu)有時(shí)會(huì)產(chǎn)生缺陷，這些缺陷主要包括：

1

傾斜側(cè)壁

在聚焦束斑內(nèi)，離子呈現(xiàn)出高斯分布，越靠近束斑中心，離子相對(duì)數(shù)量越大。若離子束按單個(gè)像素點(diǎn)刻蝕轟擊樣品，將形成錐形截面輪廓的孔洞。隨著刻蝕深度的增加，截面的錐度將逐漸減小直至飽和。因材料及其晶體取向不同，截面通常會(huì)有~4°的錐度。

改善：要想得到與樣品表面完全垂直的截面，通常采用將樣品人為傾斜特定的角度的方式，來補(bǔ)償截面和離子束入射角度間的誤差。（也可采用側(cè)向入射的方式，采用定義刻蝕圖案，調(diào)節(jié)截面和表面之間的夾角，靈活地加工出形狀更加復(fù)雜的三維微納米結(jié)構(gòu)。）

2

窗簾結(jié)構(gòu)

聚焦于離子束的樣品截面中，還有一項(xiàng)必須注意的特殊情況就是截面的平整度，有時(shí)會(huì)在斷面上產(chǎn)生豎直線條，被稱之為窗簾結(jié)構(gòu)。窗簾結(jié)構(gòu)的產(chǎn)生主要和聚焦離子束切割固有的傾斜側(cè)壁有關(guān)，同時(shí)若樣品表面形貌起伏或者成分不同，會(huì)引起表面刻蝕速度不同，從而產(chǎn)生窗簾結(jié)構(gòu)。

改善：針對(duì)產(chǎn)品表面形貌起伏產(chǎn)生的特殊窗簾結(jié)構(gòu)，方法一般是在樣品表面FIB進(jìn)行化學(xué)氣相沉積形成一層保護(hù)膜，使表面更加平滑；也可通過調(diào)整離子束的入射角度，在沒有起伏的表面進(jìn)行分割，從而避免其干擾。針對(duì)成分不同而引起的窗簾結(jié)構(gòu)，可采用搖擺切割的方法，使離子束在多個(gè)角度入射進(jìn)行消除。

3

非均勻刻蝕

聚焦離子束通常能夠直接且迅速地加工制作成微納米平面形狀結(jié)構(gòu)，而針對(duì)非晶體材料或單質(zhì)單晶材料，通過FIB刻蝕技術(shù)通常能夠獲得十分均勻的輪廓形狀和底面結(jié)構(gòu)，而針對(duì)多晶體材料和多元化合物材料，則因?yàn)椴煌w粒的取向差異，刻蝕速度在各個(gè)顆粒區(qū)域有所不同，通常會(huì)呈現(xiàn)非均勻刻蝕，底面并不平整。

改善：對(duì)于多晶材料出現(xiàn)加工缺陷，可增加掃描每點(diǎn)的停留時(shí)間進(jìn)行改善；增大離子束在每點(diǎn)的停留時(shí)間，再沉積（聚焦離子束轟擊固體材料時(shí)，固體材料的原子被濺射逸出的過程中，部分原子落回樣品表面，該過程稱為再沉積。）的影響就會(huì)增強(qiáng)，再沉積的原子落入凹陷處的幾率更高，可以起到平坦化的作用，從而改善刻蝕底面的平整性。

隨著納米科技的發(fā)展與應(yīng)用，納米加工成為納米制造業(yè)的核心部分，而納米加工的代表性方法就是近年來發(fā)展起來的聚焦離子束技術(shù)（FIB）。利用電透鏡將離子束聚焦成小尺寸離子束，轟擊樣品表面，實(shí)現(xiàn)材料的剝離、沉積、注入、切割和改性。通過分析研究聚焦離子束加工過程中可能出現(xiàn)的缺陷，以及改進(jìn)方法，使得聚焦離子束能在納米加工領(lǐng)域得到更廣闊的應(yīng)用。

上一篇：測(cè)試狗自建實(shí)驗(yàn)室TEM火爆預(yù)約中，現(xiàn)場(chǎng)/云現(xiàn)場(chǎng)等你來！

下一篇：還在看2021IF啊，2022年中“即時(shí)影響因子”已經(jīng)出了！

相關(guān)文章

基礎(chǔ)理論丨一文了解XPS（概念、定性定量分析、分析方法、譜線結(jié)構(gòu)）

2020-05-03

手把手教你用ChemDraw 畫化學(xué)結(jié)構(gòu)式：基礎(chǔ)篇

2021-06-19

晶體結(jié)構(gòu)可視化軟件 VESTA使用教程（下篇）

2021-01-22

【科研干貨】電化學(xué)表征：循環(huán)伏安法詳解（上）

2019-10-25

【科研干貨】電化學(xué)表征：循環(huán)伏安法詳解（下）

2019-10-25

XRD的基本原理與應(yīng)用

2020-11-03

項(xiàng)目推薦/Project

三維原子探針（APT）

FIB云現(xiàn)場(chǎng)/現(xiàn)場(chǎng)

聚焦離子束（FIB）

冷凍聚焦離子束（FIB）

熱門文章/popular

基礎(chǔ)理論丨一文了解XPS（概念、定性定量分析、分析方法、譜線結(jié)構(gòu)）

手把手教你用ChemDraw 畫化學(xué)結(jié)構(gòu)式：基礎(chǔ)篇

晶體結(jié)構(gòu)可視化軟件 VESTA使用教程（下篇）

電化學(xué)實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)之電化學(xué)工作站篇（二）三電極和兩電極體系的搭建和測(cè)試

【科研干貨】電化學(xué)表征：循環(huán)伏安法詳解（上）

【科研干貨】電化學(xué)表征：循環(huán)伏安法詳解（下）

微信掃碼分享文章

久久超碰99,91一区二区三区四区,精品捆绑调教一区二区三区,日韩国产欧美三级

舉報(bào)有獎(jiǎng)

TEL: 191-3608-6524

如：在網(wǎng)絡(luò)上惡意使用“測(cè)試狗”等相關(guān)關(guān)鍵詞誤導(dǎo)用戶點(diǎn)擊、惡意盜用測(cè)試狗商標(biāo)、冒稱官方工作人員等情形，請(qǐng)您向我們舉報(bào)，經(jīng)查實(shí)后，我們將給予您獎(jiǎng)勵(lì)。

舉報(bào)內(nèi)容：

200

上傳附件：

文件格式不正確，請(qǐng)重新上傳文件格式不正確，請(qǐng)重新上傳文件格式不正確，請(qǐng)重新上傳

文件格式：jpg、jpeg、png、gif、tif、doc、docx、ppt、pptx、xls、xlsx、pdf、zip、rar

聯(lián)系方式

姓名

電話

提交意見

意見反饋

Suggestions

您可以在此留下您寶貴的意見，您的意見或問題反饋將會(huì)成為我們不斷改進(jìn)的動(dòng)力。

意見類型

測(cè)試服務(wù)

網(wǎng)站功能

財(cái)務(wù)報(bào)賬

其他類型

意見內(nèi)容

200

聯(lián)系方式

姓名

電話

提交意見

+

你好，很高興為您服務(wù)！

發(fā)送